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SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA931DJ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA931DJ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 59.550
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SIA931DJ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA931DJ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIA931DJ-T1-GE3, SIA931DJ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 273,08 KB)
PDFSIA931DJ-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SIA931DJ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds445pF @ 15V
Leistung - max7.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Dual

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

218.7pF @ 25V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

388mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 15V

Leistung - max

340mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

303A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V

Leistung - max

12W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

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Betriebstemperatur

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