SIA431DJ-T1-GE3
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| Teilenummer | SIA431DJ-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIA431DJ-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.756 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIA431DJ-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIA431DJ-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIA431DJ-T1-GE3, SIA431DJ-T1-GE3 Datenblatt
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SIA431DJ-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Ta), 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 70W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFLAT™ (5x5) Paket / Fall 14-PowerVQFN |
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