SI8819EDB-T2-E1
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| Teilenummer | SI8819EDB-T2-E1 |
| PNEDA Teilenummer | SI8819EDB-T2-E1 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.038 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI8819EDB-T2-E1 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI8819EDB-T2-E1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SI8819EDB-T2-E1, SI8819EDB-T2-E1 Datenblatt
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SI8819EDB-T2-E1 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 3.7V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1.5A, 3.7V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 6V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 900mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| Paket / Fall | 4-XFBGA |
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