SI7922DN-T1-GE3
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Teilenummer | SI7922DN-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI7922DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 1.067.238 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI7922DN-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | SI7922DN-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SI7922DN-T1-GE3, SI7922DN-T1-GE3 Datenblatt
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SI7922DN-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung - max | 1.3W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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