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SI7842DP-T1-GE3

SI7842DP-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7842DP-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI7842DP-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 5.868
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SI7842DP-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7842DP-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7842DP-T1-GE3, SI7842DP-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 129,39 KB)
PDFSI7842DP-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI7842DP-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SO-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8 Dual

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1095pF @ 15V

Leistung - max

3.5W, 4.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Microchip Technology

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1013pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.74nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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6-WDFN Exposed Pad

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

440mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.45pC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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Leistung - max

650mW

Betriebstemperatur

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