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SI7224DN-T1-E3

SI7224DN-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7224DN-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI7224DN-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI7224DN-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7224DN-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7224DN-T1-E3, SI7224DN-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 597,91 KB)
PDFSI7224DN-T1-E3 Datenblatt Cover
SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI7224DN-T1-E3 Datenblatt Seite 11

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SI7224DN-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds570pF @ 15V
Leistung - max17.8W, 23W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 1212-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8 Dual

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1066pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™

USB10H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

441pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

AO9926B

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

EPC2108

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V, 100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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