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SI5943DU-T1-E3

SI5943DU-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5943DU-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI5943DU-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
Hersteller Vishay Siliconix
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SI5943DU-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5943DU-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5943DU-T1-E3, SI5943DU-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 104,76 KB)
PDFSI5943DU-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI5943DU-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 6V
Leistung - max8.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® ChipFET™ Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® ChipFet Dual

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HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Serie

-

FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A, 13.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 15V

Leistung - max

1.9W, 2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

887pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SI4816DY-T1-E3

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A, 7.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W, 1.25W

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