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SI5936DU-T1-GE3

SI5936DU-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5936DU-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI5936DU-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
Hersteller Vishay Siliconix
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SI5936DU-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5936DU-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5936DU-T1-GE3, SI5936DU-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 155,8 KB)
PDFSI5936DU-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI5936DU-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 15V
Leistung - max10.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® ChipFET™ Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® ChipFet Dual

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2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

914pF @ 6V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

450mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2Ohm @ 225mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1478pF @ 10V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-TSSOP

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

Leistung - max

2.63W

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