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SI5905DC-T1-E3

SI5905DC-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5905DC-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI5905DC-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 3.258
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SI5905DC-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5905DC-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5905DC-T1-E3, SI5905DC-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 108,29 KB)
PDFSI5905DC-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI5905DC-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

527pF @ 30V, 436pF @ 30V

Leistung - max

1.4W (Ta), 5.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

SIZ988DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

Leistung - max

20.2W, 40W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-PowerPair®

SSM6P69NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

EMH2314-TL-H

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 6V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-EMH

SH8K37GZETB

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 30V

Leistung - max

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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