Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5515CDC-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI5515CDC-T1-E3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 28.212
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 23 - Mär 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI5515CDC-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5515CDC-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5515CDC-T1-E3, SI5515CDC-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 278,41 KB)
PDFSI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI5515CDC-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI5515CDC-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-E3
  • SI5515CDC-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI5515CDC-T1-E3 Stock

  • SI5515CDC-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI5515CDC-T1-E3
  • SI5515CDC-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI5515CDC-T1-E3 Price
  • SI5515CDC-T1-E3 Distributor

SI5515CDC-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds632pF @ 10V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI5509DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.1A, 4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Leistung - max

4.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

DMC3400SDW-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

650mA, 450mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 15V

Leistung - max

310mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

CSD87312Q3E

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7A , 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 15V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-VSON (3.3x3.3)

SIZ920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 18.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 15V

Leistung - max

39W, 100W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-PowerPair® (6x5)

BSO211PNTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

P-DSO-8

Kürzlich verkauft

MMSZ5250BT1G

MMSZ5250BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 20V 500MW SOD123

SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

CDBU0130L-HF

CDBU0130L-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

MBT3904DW1T1G

MBT3904DW1T1G

ON Semiconductor

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88

MAX3095ESE

MAX3095ESE

Maxim Integrated

IC RECEIVER 0/4 16SO

TAJE477K010RNJ

TAJE477K010RNJ

CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

BLM41PG102SN1L

BLM41PG102SN1L

Murata

FERRITE BEAD 1 KOHM 1806 1LN

DN2540N8-G

DN2540N8-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3

FAN3111ESX

FAN3111ESX

ON Semiconductor

IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5

AS5304B-ATST

AS5304B-ATST

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 1280PPR

NR6028T100M

NR6028T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 1.9A 84.5 MOHM

BLM21PG221SN1D

BLM21PG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0805 1LN