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SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5515CDC-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI5515CDC-T1-E3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI5515CDC-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5515CDC-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5515CDC-T1-E3, SI5515CDC-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 278,41 KB)
PDFSI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI5515CDC-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI5515CDC-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds632pF @ 10V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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SI5509DC-T1-GE3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.1A, 4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Leistung - max

4.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V

Leistung - max

1.4W

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