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SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5513CDC-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI5513CDC-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI5513CDC-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5513CDC-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5513CDC-T1-GE3, SI5513CDC-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 276,1 KB)
PDFSI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Cover
SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI5513CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 11

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SI5513CDC-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds285pF @ 10V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

SIZ702DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 15V

Leistung - max

27W, 30W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-PowerPair™

Lieferantengerätepaket

6-PowerPair™

SI4214DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTSM120AM55CT1AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

272nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 1000V

Leistung - max

470W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

DMN2400UV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.33A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 16V

Leistung - max

530mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-563

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