SI4940DY-T1-GE3
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| Teilenummer | SI4940DY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4940DY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.030 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI4940DY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4940DY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SI4940DY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V Leistung - max 1.04W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 752pF @ 15V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.1A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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