SI4923DY-T1-E3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SI4923DY-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4923DY-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.374 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 13 - Feb 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI4923DY-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SI4923DY-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SI4923DY-T1-E3 Datasheet
- where to find SI4923DY-T1-E3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI4923DY-T1-E3
- SI4923DY-T1-E3 PDF Datasheet
- SI4923DY-T1-E3 Stock
- SI4923DY-T1-E3 Pinout
- Datasheet SI4923DY-T1-E3
- SI4923DY-T1-E3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI4923DY-T1-E3 Price
- SI4923DY-T1-E3 Distributor
SI4923DY-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 34.9mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 30V Leistung - max 35W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 49A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V Leistung - max 250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 250MA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 268pF @ 10V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket UF6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5600pF @ 25V Leistung - max 357W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC, 40nC @ 5V, 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF, 2500pF @ 10V Leistung - max 2W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
