SI4501ADY-T1-GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SI4501ADY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4501ADY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 23 - Mär 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI4501ADY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SI4501ADY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI4501ADY-T1-GE3, SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt
(Total Pages: 9, Größe: 133,98 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI4501ADY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI4501ADY-T1-GE3
- SI4501ADY-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI4501ADY-T1-GE3 Stock
- SI4501ADY-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI4501ADY-T1-GE3
- SI4501ADY-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI4501ADY-T1-GE3 Price
- SI4501ADY-T1-GE3 Distributor
SI4501ADY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel, Common Drain |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.3A, 4.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A, 13A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 143mOhm @ 600MA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 268pF @ 10V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket UF6 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V Leistung - max 780W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 647pF @ 10V Leistung - max 950mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerUDFN Lieferantengerätepaket U-DFN3030-8 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 20V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
