SI3993CDV-T1-GE3
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Teilenummer | SI3993CDV-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI3993CDV-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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SI3993CDV-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI3993CDV-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SI3993CDV-T1-GE3, SI3993CDV-T1-GE3 Datenblatt
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SI3993CDV-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 15V |
Leistung - max | 1.4W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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