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SI2310-TP

SI2310-TP

Nur als Referenz

Teilenummer SI2310-TP
PNEDA Teilenummer SI2310-TP
Beschreibung N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Hersteller Micro Commercial Co
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SI2310-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI2310-TP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI2310-TP, SI2310-TP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 431,2 KB)
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SI2310-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds247pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)350mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Ta), 211A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

158nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8292pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 63W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MD

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MD

NVMFS5C442NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen III

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22.1A (Ta), 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

183nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5590pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8SH

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PowerPAK® 1212-8SH

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A (Ta), 15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1335pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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-

FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4382pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

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