Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI1972DH-T1-GE3

SI1972DH-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1972DH-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI1972DH-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.480
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 23 - Mär 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI1972DH-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1972DH-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI1972DH-T1-GE3, SI1972DH-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 117,34 KB)
PDFSI1972DH-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI1972DH-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI1972DH-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI1972DH-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI1972DH-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI1972DH-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI1972DH-T1-GE3 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI1972DH-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI1972DH-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1972DH-T1-GE3
  • SI1972DH-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI1972DH-T1-GE3 Stock

  • SI1972DH-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI1972DH-T1-GE3
  • SI1972DH-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1972DH-T1-GE3 Price
  • SI1972DH-T1-GE3 Distributor

SI1972DH-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs225mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds75pF @ 15V
Leistung - max1.25W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-70-6 (SOT-363)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMN2029USD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1171pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

CTLDM7120-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Leistung - max

1.65W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

TLM832DS

NTMC1300R2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A, 1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

2N7002PV,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

330mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

NVMFD5489NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Leistung - max

3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Kürzlich verkauft

AD8062ARZ

AD8062ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

NR6028T100M

NR6028T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 1.9A 84.5 MOHM

ADM3490ARZ

ADM3490ARZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

MAX8902BATA+T

MAX8902BATA+T

Maxim Integrated

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8TDFN

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

ADP7182AUJZ-R7

ADP7182AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN NEG ADJ 200MA 5TSOT

HA7-5147-2

HA7-5147-2

Renesas Electronics America Inc.

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8CERDIP

DLW5BTN101SQ2L

DLW5BTN101SQ2L

Murata

CMC 6A 2LN 100 OHM SMD

NP5Q128A13ESFC0E

NP5Q128A13ESFC0E

Micron Technology Inc.

IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W

HX1188FNLT

HX1188FNLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

H1102NLT

H1102NLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

74HC259D

74HC259D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC 8BIT ADDRESSABLE LATCH 16SOIC