Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI1307DL-T1-E3

SI1307DL-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1307DL-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI1307DL-T1-E3
Beschreibung MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.956
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Sep 25 - Sep 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI1307DL-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1307DL-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI1307DL-T1-E3, SI1307DL-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 95,96 KB)
PDFSI1307DL-T1-E3 Datenblatt Cover
SI1307DL-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI1307DL-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI1307DL-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI1307DL-T1-E3 Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI1307DL-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI1307DL-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1307DL-T1-E3
  • SI1307DL-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI1307DL-T1-E3 Stock

  • SI1307DL-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI1307DL-T1-E3
  • SI1307DL-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1307DL-T1-E3 Price
  • SI1307DL-T1-E3 Distributor

SI1307DL-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.850mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)290mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-70-3
Paket / FallSC-70, SOT-323

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQPF12N60CT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

51W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7446pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

SUD50N06-07L-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

96A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

144nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPW35N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

118mOhm @ 21.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

212nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5060pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

313W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

BSS126 E6906

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 16mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 8µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

JS28F128J3F75A

JS28F128J3F75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

LTM4605EV#PBF

LTM4605EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

SUCS62412C

SUCS62412C

Cosel

DC DC CONVERTER 12V

ND431825

ND431825

Powerex Inc.

SCR MOD ISO DUAL 1800V 250A

EXB-38V102JV

EXB-38V102JV

Panasonic Electronic Components

RES ARRAY 4 RES 1K OHM 1206

SA56004EDP,118

SA56004EDP,118

NXP

SENSOR DIGITAL -40C-125C 8TSSOP

LT3010EMS8E#TRPBF

LT3010EMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 50MA 8MSOP

KSR223GLFG

KSR223GLFG

C&K

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V

AT24C1024BW-SH-T

AT24C1024BW-SH-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

ADUM1250ARZ

ADUM1250ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

CSTCE12M0G55-R0

CSTCE12M0G55-R0

Murata

CER RES 12.0000MHZ 33PF SMD