SH8M24GZETB
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| Teilenummer | SH8M24GZETB |
| PNEDA Teilenummer | SH8M24GZETB |
| Beschreibung | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SH8M24GZETB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SH8M24GZETB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SH8M24GZETB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC, 18.2nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF, 1700pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 10V Leistung - max 510mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN2020-6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 10V Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket ChipFET™ |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 748nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20600pF @ 25V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V Leistung - max 550mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket TSMT8 |
