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SFH608-3X006

SFH608-3X006

Nur als Referenz

Teilenummer SFH608-3X006
PNEDA Teilenummer SFH608-3X006
Beschreibung OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division
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Auf Lager 7.830
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SFH608-3X006 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSFH608-3X006
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
SFH608-3X006, SFH608-3X006 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 120,49 KB)
PDFSFH608-4X007T Datenblatt Cover
SFH608-4X007T Datenblatt Seite 2 SFH608-4X007T Datenblatt Seite 3 SFH608-4X007T Datenblatt Seite 4 SFH608-4X007T Datenblatt Seite 5 SFH608-4X007T Datenblatt Seite 6 SFH608-4X007T Datenblatt Seite 7 SFH608-4X007T Datenblatt Seite 8

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SFH608-3X006 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Opto Division
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)100% @ 1mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)200% @ 1mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)8µs, 7.5µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)5µs, 7µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)55V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.1V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)50mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.400", 10.16mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Hersteller

CEL

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

10µs, 7µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

30mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SSOP

TLP293-4(GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

H11D1300

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

300V

Strom - Ausgang / Kanal

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

PS2561BL1-1-D-A

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.17V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

40mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

HMA121ER3V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

150% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

80mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

4-SMD

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