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SF35G B0G

SF35G B0G

Nur als Referenz

Teilenummer SF35G B0G
PNEDA Teilenummer SF35G-B0G
Beschreibung DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 6.714
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 4 - Dez 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SF35G B0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSF35G B0G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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SF35G B0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F.60pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/424

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

B, Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

1N3289A

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

24mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 200°C

1N5298-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MUR5020R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

8V

Current - Average Rectified (Io)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

340mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200mA @ 8V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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