SF1003G C0G
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| Teilenummer | SF1003G C0G |
| PNEDA Teilenummer | SF1003G-C0G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AB |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SF1003G C0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SF1003G C0G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SF1003G C0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F. | 70pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall R6, Axial Lieferantengerätepaket R-6 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2200V Current - Average Rectified (Io) 300A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.15V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 9µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 2200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-200AA, A-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AA, R62 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 200°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 300A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 942A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 40mA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 200°C |
