SE20PAG-M3/I
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Teilenummer | SE20PAG-M3/I |
PNEDA Teilenummer | SE20PAG-M3-I |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 1.6A DO220AA |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.646 |
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SE20PAG-M3/I Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SE20PAG-M3/I |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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SE20PAG-M3/I Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) | 1.6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 2A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.2µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F. | 13pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-220AA |
Lieferantengerätepaket | DO-220AA (SMP) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Powerex Inc. Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 220A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.75V @ 800A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -45°C ~ 150°C |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 12A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 12A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 190µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 360pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket PG-TO220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 8500V Current - Average Rectified (Io) 3040A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100mA @ 8500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AE Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 160°C |