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SE10DGHM3/I

SE10DGHM3/I

Nur als Referenz

Teilenummer SE10DGHM3/I
PNEDA Teilenummer SE10DGHM3-I
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.614
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SE10DGHM3/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSE10DGHM3/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SE10DGHM3/I, SE10DGHM3/I Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 108,8 KB)
PDFSE10DJHM3/I Datenblatt Cover
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SE10DGHM3/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.15V @ 10A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr15µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.67pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
LieferantengerätepaketTO-263AC (SMPD)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

ACDBA2100-HF

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-10TQ045SHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

900pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

R9G03812XX

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3800V

Current - Average Rectified (Io)

1200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 3800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AA, R62

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

UFS510J/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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