SCT2120AFC
Nur als Referenz
| Teilenummer | SCT2120AFC |
| PNEDA Teilenummer | SCT2120AFC |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.568 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SCT2120AFC Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SCT2120AFC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SCT2120AFC Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 29A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 3.3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 500V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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