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SBRB2545CTT4G

SBRB2545CTT4G

Nur als Referenz

Teilenummer SBRB2545CTT4G
PNEDA Teilenummer SBRB2545CTT4G
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $12,0727
100 ---------- $11,5068
250 ---------- $10,9409
500 ---------- $10,3750
750 ---------- $9,9034
1.000 ---------- $9,4318
Auf Lager 10.191
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SBRB2545CTT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSBRB2545CTT4G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
SBRB2545CTT4G, SBRB2545CTT4G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 97,42 KB)
PDFSBRB2545CTT4G Datenblatt Cover
SBRB2545CTT4G Datenblatt Seite 2 SBRB2545CTT4G Datenblatt Seite 3 SBRB2545CTT4G Datenblatt Seite 4 SBRB2545CTT4G Datenblatt Seite 5

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SBRB2545CTT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If620mV @ 15A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 45V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK-3

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

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Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

810mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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STMicroelectronics

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 650V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Powerex Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

660A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1978A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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POW-R-BLOK™ Module

BAS12504WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

25V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 35mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150nA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

20CTQ040

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

640mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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