S70GL02GP11FFIR22
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| Teilenummer | S70GL02GP11FFIR22 |
| PNEDA Teilenummer | S70GL02GP11FFIR22 |
| Beschreibung | IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S70GL02GP11FFIR22 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S70GL02GP11FFIR22 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
S70GL02GP11FFIR22, S70GL02GP11FFIR22 Datenblatt
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S70GL02GP11FFIR22 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-P |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 2Gb (256M x 8, 128M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 110ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-FBGA (11x13) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 256Kb (16K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 12ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
