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S70G

S70G

Nur als Referenz

Teilenummer S70G
PNEDA Teilenummer S70G
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 70A DO5
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 2.070
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S70G Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS70G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S70G, S70G Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 799,16 KB)
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S70JR Datenblatt Seite 2 S70JR Datenblatt Seite 3

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S70G Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)70A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 70A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 180°C

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MBR8080R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBR1645G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

JAN1N6623

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

A-PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

1N4249GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 160°C

GURB5H60-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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