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S5MHE3/57T

S5MHE3/57T

Nur als Referenz

Teilenummer S5MHE3/57T
PNEDA Teilenummer S5MHE3-57T
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.318
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S5MHE3/57T Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS5MHE3/57T
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S5MHE3/57T, S5MHE3/57T Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 81,43 KB)
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S5MHE3/57T Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.15V @ 5A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2.5µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.40pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketDO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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SIDC50D60C6X1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

200A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

27µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

1N8030-GA

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

750mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.39V @ 750mA

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

76pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-257-3

Lieferantengerätepaket

TO-257

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 250°C

IDH02G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

2A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 2A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

VS-VSKEF500/06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

772A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.66V @ 500A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

104ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

DB2G32600L1

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

440mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

900µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

32pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1005 Metric)

Lieferantengerätepaket

0402 (1005 Metric)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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