S40410161B1B2I013
Nur als Referenz
| Teilenummer | S40410161B1B2I013 |
| PNEDA Teilenummer | S40410161B1B2I013 |
| Beschreibung | IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.452 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S40410161B1B2I013 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S40410161B1B2I013 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
S40410161B1B2I013, S40410161B1B2I013 Datenblatt
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S40410161B1B2I013 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | e.MMC 1B1 |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 16Gb (2G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 100-LBGA (14x18) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 450ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-FBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA |
