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S3J-E3/57T

S3J-E3/57T

Nur als Referenz

Teilenummer S3J-E3/57T
PNEDA Teilenummer S3J-E3-57T
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 49.404
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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S3J-E3/57T Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS3J-E3/57T
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S3J-E3/57T, S3J-E3/57T Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 84,81 KB)
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S3J-E3/57T Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.15V @ 2.5A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2.5µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.60pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketDO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

350mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

ES1F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA (DO-214AC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

1N6079

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 37.7A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 155°C

VS-T85HFL40S02

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

85A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-55 T-Module

Lieferantengerätepaket

D-55

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

IDC51D120T6MX1SA3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.05V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

18µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

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