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S3AB-TP

S3AB-TP

Nur als Referenz

Teilenummer S3AB-TP
PNEDA Teilenummer S3AB-TP
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA
Hersteller Micro Commercial Co
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S3AB-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS3AB-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S3AB-TP, S3AB-TP Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 739,38 KB)
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S3GB-TP Datenblatt Seite 2 S3GB-TP Datenblatt Seite 3

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S3AB-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.15V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketDO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

175pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

LSIC2SD065C06A

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

Gen2

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

18.5A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

VI30120S-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

MMBD4448-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SFAF2006GHC0G

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

150pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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