S34ML04G200BHI000
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| Teilenummer | S34ML04G200BHI000 |
| PNEDA Teilenummer | S34ML04G200BHI000 |
| Beschreibung | IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.860 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S34ML04G200BHI000 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S34ML04G200BHI000 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S34ML04G200BHI000 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | ML-2 |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-BGA (11x9) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 4Kb (512 x 8, 256 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-Mini Map (2x3) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
