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S29WS512P0PBFW000

S29WS512P0PBFW000

Nur als Referenz

Teilenummer S29WS512P0PBFW000
PNEDA Teilenummer S29WS512P0PBFW000
Beschreibung IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.158
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S29WS512P0PBFW000 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29WS512P0PBFW000
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S29WS512P0PBFW000 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieWS-P
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz66MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite60ns
Zugriffszeit80ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-VFBGA
Lieferantengerätepaket84-FBGA (11.6x8)

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Hersteller

ABLIC U.S.A. Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

HTEE25608D

Honeywell Aerospace

Hersteller

Honeywell Aerospace

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel, SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 225°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

56-BCPGA

Lieferantengerätepaket

56-CPGA

93AA56CT-I/MC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (2x3)

MT40A512M8RH-083E AAT:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.2GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (9x10.5)

IS61LF25636A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

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