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S29PL127J70TAI130D

S29PL127J70TAI130D

Nur als Referenz

Teilenummer S29PL127J70TAI130D
PNEDA Teilenummer S29PL127J70TAI130D
Beschreibung IC FLASH MEM NOR 56TSOPI
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.172
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S29PL127J70TAI130D Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29PL127J70TAI130D
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S29PL127J70TAI130D Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SeriePL-J
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße128M (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket56-TSOP

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

64Gb (1G x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

253-VFBGA

Lieferantengerätepaket

253-VFBGA (12x12)

7027L55PF/S2909

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

7143LA20G

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

68-BPGA

Lieferantengerätepaket

68-PGA (29.46x29.46)

AS4C4M16S-6TCNTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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