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S29CL032J0PFFM000

S29CL032J0PFFM000

Nur als Referenz

Teilenummer S29CL032J0PFFM000
PNEDA Teilenummer S29CL032J0PFFM000
Beschreibung IC FLASH 32M PARALLEL 80FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.244
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S29CL032J0PFFM000 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29CL032J0PFFM000
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S29CL032J0PFFM000 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieCL-J
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (1M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz66MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite60ns
Zugriffszeit54ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall80-LBGA
Lieferantengerätepaket80-FBGA (13x11)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

366MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

FM28V020-SGTR

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

140ns

Zugriffszeit

140ns

Spannung - Versorgung

2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

70T3319S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-CABGA (17x17)

AS4C512M8D3L-12BCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (9x10.5)

93LC46CT-I/MNY

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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