S29CD016J0PQFM113
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| Teilenummer | S29CD016J0PQFM113 |
| PNEDA Teilenummer | S29CD016J0PQFM113 |
| Beschreibung | IC FLASH 16M PARALLEL 80PQFP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.724 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29CD016J0PQFM113 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29CD016J0PQFM113 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29CD016J0PQFM113 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | CD-J |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 16Mb (512K x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 66MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60ns |
| Zugriffszeit | 54ns |
| Spannung - Versorgung | 1.65V ~ 2.75V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 80-BQFP |
| Lieferantengerätepaket | 80-PQFP (20x20) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket 52-TSOP II |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 64Mb (16M x 4) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ms, 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SO W |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP II |
