S25FL256SAGNFI000
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| Teilenummer | S25FL256SAGNFI000 |
| PNEDA Teilenummer | S25FL256SAGNFI000 |
| Beschreibung | IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 0 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S25FL256SAGNFI000 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25FL256SAGNFI000 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S25FL256SAGNFI000 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | FL-S |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 256Mb (32M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-WSON (6x8) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (32K x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 83MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
Hersteller Adesto Technologies Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8µs, 1.75ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-UDFN (2x3) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
