S25FL116K0XMFA013
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| Teilenummer | S25FL116K0XMFA013 |
| PNEDA Teilenummer | S25FL116K0XMFA013 |
| Beschreibung | IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8SO |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.868 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 16 - Apr 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S25FL116K0XMFA013 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25FL116K0XMFA013 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
S25FL116K0XMFA013, S25FL116K0XMFA013 Datenblatt
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S25FL116K0XMFA013 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | Automotive, AEC-Q100, FL1-K |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 16Mb (2M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 108MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 3ms |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 64Kb (4K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
