S25FL064LABNFV013
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| Teilenummer | S25FL064LABNFV013 |
| PNEDA Teilenummer | S25FL064LABNFV013 |
| Beschreibung | IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8WSON |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.382 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S25FL064LABNFV013 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25FL064LABNFV013 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S25FL064LABNFV013 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | FL-L |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 64Mb (8M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 108MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-WSON (5x6) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 253-TFBGA Lieferantengerätepaket 253-FBGA (11x11) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 200-WFBGA Lieferantengerätepaket 200-WFBGA (10x14.5) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-TWBGA (9x13) |
