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S1KW32C-4N

S1KW32C-4N

Nur als Referenz

Teilenummer S1KW32C-4N
PNEDA Teilenummer S1KW32C-4N
Beschreibung DIODE GEN PURP 32KV 3A
Hersteller Semtech
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Auf Lager 7.704
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S1KW32C-4N Ressourcen

Marke Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS1KW32C-4N
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
S1KW32C-4N, S1KW32C-4N Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 59,44 KB)
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S1KW48C-6D Datenblatt Seite 2

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S1KW32C-4N Technische Daten

HerstellerSemtech Corporation
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)32000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If32V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 32000V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
Lieferantengerätepaket-

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Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

113A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 300A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15mA @ 800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

Lieferantengerätepaket

TO-240AA

MBRTA80030RL

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 400A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

VS-VSKD600-12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SUPER MAGN-A-PAK

Lieferantengerätepaket

Super MAGN-A-PAK

SBR6100CTLQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

740mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

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