S1BL RTG
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Teilenummer | S1BL RTG |
PNEDA Teilenummer | S1BL-RTG |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.194 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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S1BL RTG Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | S1BL RTG |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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S1BL RTG Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.8µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | 9pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-219AB |
Lieferantengerätepaket | Sub SMA |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 6500V Current - Average Rectified (Io) 1070A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 1200A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 6500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AB, B-PUK Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 160°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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