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S1AFJ-M3/6A

S1AFJ-M3/6A

Nur als Referenz

Teilenummer S1AFJ-M3/6A
PNEDA Teilenummer S1AFJ-M3-6A
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.424
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S1AFJ-M3/6A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS1AFJ-M3/6A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S1AFJ-M3/6A, S1AFJ-M3/6A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 104,69 KB)
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S1AFJ-M3/6A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1.47µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.7.9pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-221AC, SMA Flat Leads
LieferantengerätepaketDO-221AC (SlimSMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

300ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-57, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RMPG06DHE3_A/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

6.6pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

MPG06, Axial

Lieferantengerätepaket

MPG06

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N5618US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

1N5552C.TR

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

92pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

CDBC340-HF

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

250pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

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