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S10CGHM3/I

S10CGHM3/I

Nur als Referenz

Teilenummer S10CGHM3/I
PNEDA Teilenummer S10CGHM3-I
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.520
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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S10CGHM3/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS10CGHM3/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S10CGHM3/I, S10CGHM3/I Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 91,81 KB)
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S10CGHM3/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 10A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)5µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.79pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketDO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBR6040R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RFU02VSM6STR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TUMD2SM

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

VS-SD1700C30K

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3000V

Current - Average Rectified (Io)

2080A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.81V @ 4000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75mA @ 3000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Clamp On

Paket / Fall

DO-200AC, K-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AC, K-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

BYWE29-150-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

45pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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