RRE02VS4SGTR
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| Teilenummer | RRE02VS4SGTR |
| PNEDA Teilenummer | RRE02VS4SGTR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RRE02VS4SGTR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RRE02VS4SGTR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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RRE02VS4SGTR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 2-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | TUMD2S |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 15A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 75µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 750pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220ACP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
