RQ6E080AJTCR
Nur als Referenz
| Teilenummer | RQ6E080AJTCR |
| PNEDA Teilenummer | RQ6E080AJTCR |
| Beschreibung | RQ6E080AJ IS LOW ON - RESISTANCE |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RQ6E080AJTCR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RQ6E080AJTCR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RQ6E080AJTCR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1810pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 950mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSMT6 (SC-95) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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