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RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Nur als Referenz

Teilenummer RN1911(T5L,F,T)
PNEDA Teilenummer RN1911-T5L-F-T
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 2.430
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RN1911(T5L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRN1911(T5L,F,T)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

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RN1911(T5L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Transistortyp2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)4.7kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max100mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketUS6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

130MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

190MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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