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RMLV0808BGSB-4S2#AA0

RMLV0808BGSB-4S2#AA0

Nur als Referenz

Teilenummer RMLV0808BGSB-4S2#AA0
PNEDA Teilenummer RMLV0808BGSB-4S2-AA0
Beschreibung IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP
Hersteller Renesas Electronics America
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRMLV0808BGSB-4S2#AA0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Micron Technology Inc.

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

3Mb (128K x 24)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ns

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speicherschnittstelle

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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