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RM24C512C-LSNI-B

RM24C512C-LSNI-B

Nur als Referenz

Teilenummer RM24C512C-LSNI-B
PNEDA Teilenummer RM24C512C-LSNI-B
Beschreibung IC CBRAM 512K I2C 1MHZ 8SOIC
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 2.790
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RM24C512C-LSNI-B Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRM24C512C-LSNI-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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RM24C512C-LSNI-B Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
SerieMavriq™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatCBRAM®
TechnologieCBRAM
Speichergröße512kb (128B Page Size)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100µs, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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48-TSOP

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

30MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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