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RFM03U3CT(TE12L)

RFM03U3CT(TE12L)

Nur als Referenz

Teilenummer RFM03U3CT(TE12L)
PNEDA Teilenummer RFM03U3CT-TE12L
Beschreibung MOSFET N-CH RF-CST3
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 15.972
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RFM03U3CT(TE12L) Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRFM03U3CT(TE12L)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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RFM03U3CT(TE12L) Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz520MHz
Gewinn14.8dB
Spannungstest3.6V
Nennstrom (Ampere)3A
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung3W
Spannung - Nennspannung16V
Paket / Fall2-SMD, No Lead Exposed Pad
LieferantengerätepaketRF-CST3

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

100MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MMBFJ309LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.3GHz

Gewinn

22.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

3.1GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

400W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539B

Lieferantengerätepaket

SOT539B

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